La supremazia Samsung in ambito hardware è nuovamente pronta a dare il meglio di sé, grazie ad un nuovo progetto che consentirà la creazione di moduli di memoria RAM di ampiezza, al momento, insuperata. Da qualche giorno, infatti, la casa coreana ha avviato la produzione dei primi prototipi di banchi di memoria a 6 Gigabit per device portatili, al momento laptop; tuttavia la possibilità che facciano comparsa sui dispositivi wearable è altrettanto alta.
Le specifiche tecniche dei moduli corrispondono a quelle dei chip LPDDR3 (Low Power Double Data Rate), una DRAM sincrona in grado di ottenere le massime performance dal PC lasciando il sistema, tuttavia, a livelli minimi di sfruttamento e di consunzione dell’hardware.
Samsung ha optato, per questo, per un processo creativo a 2o nanometri, che consentirà di ottenere chipset con performance migliorate di oltre il 30%.
A beneficiarne sarà anche la dimensione complessiva dei banchi di memoria, che verrà ridotta di circa il venti per cento, ed al momento stesso anche il transfer rate ne otterrà benefici, grazie ai corrispondenti 3 Gigabyte di memoria complessiva ottenute riunendo i 6 Gigabit dei cluster, permettendo ai nuovi sistemi quad-core di velocizzare il trasporto ed il recupero dei dati.
I nuovi moduli di memoria non sono ancora stati testati specificamente sui device portatili; tuttavia Samsung ne ha avviato la creazione in tempi molto recenti, perciò è plausibile aspettarsi i primi test verso fine anno/inizio 2015.
A giovarne saranno, ben più che i portatili, i dispositivi indossabili, assieme agli smartphone, che lentamente ma inesorabilmente iniziano ad ottenere capacità sempre più simili a quelle di un notebook.
Attendiamo quindi la svolta di Samsung nel campo delle DRAM, sapendo che da tempo ormai si tratta di un settore irto di novità all’avanguardia, e benefiche per le capacità ed il funzionamento dei nostri dispositivi portatili e non, ma sopratutto permetterà di fare ancora una volta un salto di qualità per ciò che riguarda le prestazioni.
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